[发明专利]一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110192263.3 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102351425A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林常规;戴世勋;聂秋华;徐铁峰;沈祥;王训四;宋宝安;许银生 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C03C10/02 | 分类号： | C03C10/02 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料及其制备方法，特点是其摩尔组成按化学式表示为：(1-x-y)GeS2·xSb2S3·yM2S3，其中x＝0～0.4，y＝0.10～0.25，M为Ga或In，制备方法包括按摩尔组成化学式选取Ge、Sb、M和S所占当量比例并加热混合的步骤；基础玻璃制备的步骤；然后测试获得基础玻璃样品核化温度300-380℃，晶粒生长温度320-420℃的步骤；最后核化、晶化获得半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料，优点是该材料具有明显增强的硬度、断裂韧性等机械性能并具有二阶非线性光学性能，其制备过程中能够根据需要设计和选择合适的玻璃组成，控制析出不具有反演对称中心的晶相。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 复合 玻璃 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米晶复合硫系玻璃陶瓷材料，其特征在于它的摩尔组成按化学式表示为：(1‑x‑y)GeS2·xSb2S3·yM2S3，其中x＝0～0.4，y＝0.10～0.25，M为Ga或In。
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