[发明专利]一种碳化硅陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110191511.2 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102351538A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 王继平;夏鸿雁;黄斌;廖宝莲;乔冠军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 弋才富
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:备料、成型、预烧结、渗硅反应;本方法由于采用中间相炭微球为炭源,中间相炭微球具有自烧结性和自粘结性等特点,因此在材料的制备过程中不用添加粘结剂,简化了工艺,降低了成本,同时中间相碳微球具有层片结构,利于硅和碳反应,使得残余游离硅的量减少,提高了使用温度和抗弯强度,而碳纤维具有良好的高温力学性能,在碳化硅陶瓷材料的断裂过程中通过裂纹偏转、纤维断裂、纤维拔出等机理吸收能量,从而提高了陶瓷材料的强度和断裂韧性。
搜索关键词: 一种 碳化硅 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:步骤1:备料:首先以中间相炭微球和碳纤维为混合物原料,其中碳纤维质量占混合物原料总质量的5~20%,以无水乙醇为分散介质,把混合物原料和分散介质在玛瑙球中机械湿混12~48h,然后置于空气干燥箱中烘干10~48h,烘干温度60~100℃,最后将混合料过200目筛;步骤2:成型:将步骤1烘干的混合料采用冷模压或者等静压方式成型,制成生坯;步骤3:预烧结:首先把硅粉平铺于石墨坩埚内,然后把步骤2形成的生坯放在硅粉上,随后把坩埚置于真空电磁炉内,在氮气保护下以100~400℃/h的升温速率升温到1200~1300℃对生坯焙烧0.5~1h;步骤4:渗硅反应:继续升温,当炉内温度高于1350℃时,开始抽真空使真空度<20Pa,当温度升至1500~1600℃时停止抽真空,随后保温0.5~1h,保温结束后,再抽真空15min,使真空度<20Pa,最后自然降温冷却后即可得到碳化硅陶瓷。
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