[发明专利]用于气体传感器的场效应晶体管无效

专利信息
申请号: 201110190668.3 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102375014A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: A.克劳斯;W.达维斯 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;李家麟
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及场效应晶体管、尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管。为了提高该场绝缘层(1)、栅绝缘层(2)和/或印制导线(3)和其下的欧姆触点的温度稳定性和化学稳定性,或为了提供栅绝缘层,该场效应晶体管包含有至少一个层系统(11,12,13;21,22,23),该层系统由基层(11;21)、覆盖层(13;23)和设置在该基层(11;21)与该覆盖层(13;23)之间的至少一个中间层(12;22)组成。此外本发明还涉及用于制造这种场效应晶体管的方法以及其应用。
搜索关键词: 用于 气体 传感器 场效应 晶体管
【主权项】:
一种场效应晶体管,尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管,至少包含有‑场绝缘层(1), ‑栅绝缘层(2)和‑金属层(3),尤其印制导线,其特征在于,所述层(1,2,3)的至少之一至少部分地覆盖有至少一个层系统(11,12,13;21,22,23)、尤其保护层系统,其中该层系统包含有基层(11;21)、覆盖层(13;23)和设置在该基层(11;21)与该覆盖层(13;23)之间的至少一个中间层(12;22)。
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