[发明专利]用于气体传感器的场效应晶体管无效
| 申请号: | 201110190668.3 | 申请日: | 2011-07-08 | 
| 公开(公告)号: | CN102375014A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 | 
| 发明(设计)人: | A.克劳斯;W.达维斯 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 | 
| 主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;李家麟 | 
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE | 
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| 摘要: | 本发明涉及场效应晶体管、尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管。为了提高该场绝缘层(1)、栅绝缘层(2)和/或印制导线(3)和其下的欧姆触点的温度稳定性和化学稳定性,或为了提供栅绝缘层,该场效应晶体管包含有至少一个层系统(11,12,13;21,22,23),该层系统由基层(11;21)、覆盖层(13;23)和设置在该基层(11;21)与该覆盖层(13;23)之间的至少一个中间层(12;22)组成。此外本发明还涉及用于制造这种场效应晶体管的方法以及其应用。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 气体 传感器 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
                一种场效应晶体管,尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管,至少包含有‑场绝缘层(1), ‑栅绝缘层(2)和‑金属层(3),尤其印制导线,其特征在于,所述层(1,2,3)的至少之一至少部分地覆盖有至少一个层系统(11,12,13;21,22,23)、尤其保护层系统,其中该层系统包含有基层(11;21)、覆盖层(13;23)和设置在该基层(11;21)与该覆盖层(13;23)之间的至少一个中间层(12;22)。
            
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