[发明专利]一种纳米结构的图形转移制作方法

摘要

本发明公开了一种纳米结构的图形转移制作方法，属于集成电路和微纳电子机械系统加工领域。本发明以光刻胶作为掩膜，基于普通光刻机在一次套刻的工艺条件下，对微米级线条进行部分曝光，刻蚀金属，将微米级线条变为纳米级线条，实现纳米级结构尺寸的图形转换，他将广泛应用于MEMS和集成电路工艺中，使纳米器件工艺简化，降低成本。

主权项

一种纳米结构的图形转移制作方法，包括如下步骤：步骤1：标准清洗玻璃基底片(1)，在洁净的玻璃基底片(1)正面溅射金属(2)，并在金属(2)上旋涂光刻胶(3)；步骤2：以线宽为A结构的掩模板为掩膜，在正面旋涂光刻胶(3)的玻璃基底片(1)上进行曝光，显影，此时线宽为A结构的图形转移到玻璃基底片(1)正面的光刻胶(3)上；继续以光刻胶(3)为掩膜刻蚀金属(2)，最后去除光刻胶(3)；步骤3：在去除光刻胶(3)的玻璃基底片(1)上喷涂第二层光刻胶(3)，保证金属(2)表面光刻胶(3)的均匀性；步骤4：再以步骤2中使用的线宽为A结构的掩模板为掩膜，通过对准标记进行套刻对准，使得该对准与步骤2中的光刻对准错开距离B，将玻璃基底片(1)上的A线宽的B部分进行曝光，显影，将玻璃基底片(1)上的(A‑B)线宽的结构部分被光刻胶(3)保护；步骤5：以光刻胶(3)为掩膜，刻蚀金属(2)，将暴露部分的金属(2)刻蚀干净；步骤6：去除光刻胶(3)，玻璃基底片上的金属结构的线宽变为(A‑B)，至此，纳米结构制作完成。