[发明专利]一种倒置太阳能电池制作方法有效
| 申请号： | 201110189612.6 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102222734A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 宋明辉;林桂江;吴志浩;王良均;刘建庆;毕京锋;熊伟平;林志东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒置太阳能电池制作方法，其步聚包括：提供一生长衬底；（2）在所述生长衬底表面沉积一层SiO2掩膜层，形成图形化衬底；（3）在图形化衬底上外延生长一层牺牲层，所述牺牲层将整个SiO2掩膜图形包围起来；（4）在牺牲层上外延生长一缓冲层；（5）在缓冲层上外延生长倒置太阳能电池的半导体材料层序列；（6）将前述倒置太阳能电池的半导体材料层序列与支撑基板键合；（7）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉SiO2掩膜层；（8）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉牺牲层，剥离衬底。本发明可以更为简单地完成倒置结构多结太阳能电池与衬底的分离，实现衬底的重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒置太阳能电池制作方法，其包括如下步骤：（1）提供一生长衬底；（2）在所述生长衬底表面沉积一层SiO2掩膜层，形成图形化衬底；（3）在图形化衬底上外延生长一层牺牲层，所述牺牲层将整个SiO2掩膜图形包围起来；（4）在牺牲层上外延生长一缓冲层；（5）在缓冲层上外延生长倒置太阳能电池的半导体材料层序列；（6）将前述倒置太阳能电池的半导体材料层序列与支撑基板键合；（7）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉SiO2掩膜层；（8）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉牺牲层，剥离衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
