[发明专利]一种碳纳米管的低温制备方法无效

专利信息
申请号: 201110187600.X 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102267693A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 李明吉;杨保和;孙佳;曲长庆 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y40/00
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市南*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种以Ni/MgO催化剂化学气相沉积法低温制备碳纳米管的方法,将六水硝酸镍、六水硝酸镁按不同配比和浓度溶解在乙醇中,得到硝酸镍和硝酸镁混合溶液,作为碳纳米管生长所需的催化剂前驱物;催化剂前驱物溶液喷洒在硅、玻璃等衬底上,置于化学气相沉积系统的样品台上,加热分解,形成氧化镍和氧化镁,通入氢气,在等离子体化学气相沉积系统的氢等离子体中还原,形成镍纳米金属颗粒,获得Ni/MgO催化剂体系;通入碳氢化合物,在不同的工艺条件下制备各种需求的碳纳米管。本发明的优点在于碳纳米管的制备工艺简单,产量大,合成温度低,所得碳纳米管质量好,纯度高,管径分布均匀,与微电子工艺兼容。
搜索关键词: 一种 纳米 低温 制备 方法
【主权项】:
一种碳纳米管的低温制备方法,其特征在于步骤如下1)将六水硝酸镍(Ni(NO3)2·6H2O)和六水硝酸镁(Mg(NO3)2·6H2O)溶解于乙醇中制得混合溶液作为催化剂前驱物;2)将上述混合溶液均匀喷洒在衬底上,在50~100 ℃温度下烘干后,置于化学气相沉积(PECVD)系统真空室的样品台上;3)关闭真空室并抽真空,当真空度小于0.1Pa时,向真空室通入氢气,氢气流量为20‑200 mL/min,当压强达到100~500 Pa时,将样品台加热0.5~3小时,加热温度为350~500 ℃,以使衬底上的催化剂前驱物分解并形成NiO和MgO;4)施加50~500 W的射频功率,在PECVD系统的氢等离子体作用下,将NiO还原为Ni纳米金属颗粒,获得碳纳米管生长所需的Ni/MgO催化剂体系,还原时间为0.5~3小时;5)在保持氢气流量条件下通入碳氢化合物作为反应气体,碳氢化合物气体流量为20‑200 mL/min,在压强为10~1000 pa和衬底温度为450~900 ℃条件下,施加射频功率50‑500W,反应时间0.5~5小时,通过在催化剂表面进行等离子体反应直接制备碳纳米管。
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