[发明专利]晶体管及晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201110185303.1 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102867852A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶体管，包括：背衬底；位于所述背衬底上的隔离层，所述隔离层包括应力层，及嵌入于所述应力层内的空腔结构；位于所述隔离层上的顶层硅；位于所述顶层硅上的栅极结构，及位于所述栅极结构两侧顶层硅内的源区和漏区，位于所述源区和漏区间的顶层硅为沟道区。本发明还提供一种晶体管的形成方法。本发明通过在顶层硅下方形成应力层及嵌入所述应力层内的空腔结构，所述空腔结构嵌入于所述沟道区下方的所述应力层中，位于所述空腔结构两侧的应力层对所述沟道区产生拉伸应力或压缩应力；或者包括两部分的空腔结构，分列嵌入于所述沟道区两侧下方的所述应力层中，从而位于所述两部分的空腔结构间的应力层对所述沟道区产生压缩应力或拉伸应力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括：背衬底；位于所述背衬底表面的隔离层，所述隔离层包括应力层，所述应力层包括嵌入于所述应力层内的空腔结构；位于所述隔离层表面的顶层硅；位于所述顶层硅上的栅极结构，及位于所述栅极结构两侧顶层硅内的源区和漏区，位于所述源区和漏区间的顶层硅为沟道区；其中，所述空腔结构嵌入于所述沟道区下方的所述应力层中，从而位于所述空腔结构两侧的应力层对所述沟道区产生拉伸应力或压缩应力；或者所述应力层包括两部分的空腔结构，所述两部分的空腔结构分列嵌入于所述沟道区两侧下方的所述应力层中，从而位于所述两部分的空腔结构间的应力层对所述沟道区产生压缩应力或拉伸应力。
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