[发明专利]条形结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110182359.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856190A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 周俊卿;孟晓莹;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种条形结构的刻蚀方法，包括：提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；在所述待刻蚀薄膜表面形成掩膜层，在所述掩膜层内形成贯穿所述掩膜层的通孔，所述通孔与待形成的条形结构较短边的位置对应；在所述掩膜层表面形成条形图案，以所述条形图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，直至暴露出待刻蚀薄膜，形成掩膜层图案；以所述掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板。通过在待刻蚀薄膜表面形成一层较硬的掩膜层，以所述较硬的掩膜层为掩膜对待刻蚀薄膜进行刻蚀，刻蚀出的图形可以与掩模图形高度一致，刻蚀出的条形结构端点的棱角不会过度刻蚀形成圆角。 | ||
| 搜索关键词： | 条形 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种条形结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；在所述待刻蚀薄膜表面形成掩膜层，在所述掩膜层内形成贯穿所述掩膜层的通孔，所述通孔与待形成的条形结构较短边的位置对应；在所述掩膜层表面形成条形图案，以所述条形图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，直至暴露出待刻蚀薄膜，形成掩膜层图案；以所述掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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