[发明专利]高电压单断口真空灭弧室有效
| 申请号： | 201110182291.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102254734A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘志远;耿英三;王建华;张胜 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种高电压单断口真空灭弧室，通过第一导电杆和第二导电杆分别从中空外壳的顶部和中空外壳的底部竖直伸入该中空外壳内，第一导电杆和第二导电杆伸入中空外壳内的端部分别设置有竖直间隔相对的静触头和动触头，避免了额定电流承载能力低以及采用四节瓷壳不适宜大直径陶瓷外壳情况的缺点，真正实现了一种高额定电流、高分断能力以及高绝缘能力的高电压单断口真空灭弧室，实现了将分断短路电流与通载额定电流两个功能在一个装置内分开，在不增加触头体积的情况下既保证真空灭弧室的开断能力又提高真空灭弧室的承载电流能力。同时由于采用了多重屏蔽罩系统和触头背部屏蔽罩系统，具有优异的绝缘耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 断口 真空 灭弧室 | ||
【主权项】：
一种高电压单断口真空灭弧室，包括内壁上端部和下端部设置有端部屏蔽罩(501)的中空外壳(1)，其特征在于：所述的中空外壳(1)的材料为陶瓷材料且为双瓷壳系统，在中空外壳(1)上端部和下端部的端部屏蔽罩(501)之间的内壁上设置有第一屏蔽罩(301)、第二屏蔽罩(302)以及第三屏蔽罩(303)，所述的第一屏蔽罩(301)、第二屏蔽罩(302)以及第三屏蔽罩(303)为外嵌式结构或内嵌式结构，第一导电杆(101)和第二导电杆(102)分别从中空外壳(1)的顶部和中空外壳(1)的底部竖直伸入该中空外壳(1)内，第一导电杆(101)和第二导电杆(102)伸入中空外壳(1)内的端部分别为竖直间隔相对的静触头(103)和动触头(104)，静触头(103)上方的第一导电杆(101)上设置有第一触头背部屏蔽罩(401)，动触头(104)下方的第二导电杆(102)上设置有第二触头背部屏蔽罩(402)，所述的静触头(103)和动触头(104)各自分别包括有环绕第一导电杆(101)端部和第二导电杆(102)端部的中空线圈(5)，每个中空线圈(5)端部以焊接方式连接有弧触头(7)，中空线圈(5)内部的第一导电杆(101)端部和第二导电杆(102)端部各自分别设置有第一主触头(1041)，同每个第一主触头(1041)相对有设置在弧触头7上的第二主触头(1042)。
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