[发明专利]采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法无效
| 申请号： | 201110180017.6 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102251281A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 关和秀幸;小林纯;宫本美幸 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B9/12;C30B15/00;C30B19/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 相生 长法 zno 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与得到的熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱瓦斯化学株式会社，未经三菱瓦斯化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110180017.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制装置
- 下一篇：电压非线性电阻陶瓷组合物以及电子元件
