[发明专利]具有减小的AMR效应的GMR传感器有效
| 申请号: | 201110176336.X | 申请日: | 2011-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN102315241A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | U.奥瑟莱希纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08;G01B7/30 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及具有减小的AMR效应的GMR传感器。实施例涉及具有减小的各向异性磁阻(AMR)效应的巨磁阻(GMR)角度传感器布局。实施例提供减小或者消除与AMR效应有关的失真、能够更加容易地扩大或缩减、并且更加紧凑以更加高效地使用可用表面面积的GMR角度传感器布局。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 减小 amr 效应 gmr 传感器 | ||
【主权项】:
一种巨磁阻(GMR)传感器,包括:第一半桥,包括被耦接到电源电压端子的第一电阻器和被耦接到接地端子的第二电阻器;和第二半桥,包括第三电阻器和第四电阻器,所述第三电阻器被耦接到所述电源电压端子,并且所述第四电阻器被耦接到所述接地端子,其中所述第一、第二、第三和第四电阻器中的两个电阻器被定向成提供第一电流流动方向,并且所述第一、第二、第三和第四电阻器中的另两个电阻器被定向成提供垂直于所述第一电流流动方向的第二电流流动方向,并且其中所述第二电阻器的电流流动方向垂直于所述第三电阻器的电流流动方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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