[发明专利]半导体催化剂及其制备方法、包含半导体催化剂的催化制氢体系及其制氢方法有效

专利信息
申请号: 201110170265.2 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102335618A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 吴骊珠;李治军 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J27/043;C01B3/04
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张文祎
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于光催化制氢体系的半导体催化剂,包括下述原料:硒化镉或硫化镉量子点,和钴、镍或铁的盐或配合物。本发明是由硒化镉或硫化镉量子点通过光化学方法制备高效半导体催化剂并在电子牺牲体存在下光解水制氢气的方法,可以简单快捷实现由硒化镉或硫化镉量子点通过可见光驱动光反应原位制备高效半导体催化剂并在电子牺牲体存在下光解水制氢气。产氢速率分别可达40μmol·h-1·mg-1(CdSe)和25μmol·h-1·mg-1(CdS)。本方法无需模板和煅烧等苛刻条件,也不需要铂、铑等贵金属材料就可以在光照下自组装生成空腔结构形貌的高效、稳定、廉价、合成简单的半导体催化光解水制氢催化剂,本发明制备的催化剂可重复使用。
搜索关键词: 半导体 催化剂 及其 制备 方法 包含 催化 体系
【主权项】:
一种用于光催化制氢体系的半导体催化剂,其特征在于,包括下述原料:硒化镉或硫化镉量子点,和钴、镍或铁的盐或配合物。
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