[发明专利]导电膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110169259.5 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102290129A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 一木晃 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;G03F7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 苗征;于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了导电膜(100),其具有透明支持体(102)、设置在透明支持体(102)的一个主表面上的第一导电银图像(104a)和设置在透明支持体(102)的另一主表面上的第二导电银图像(104b)。通过以下步骤得到第一导电银图像和第二导电银图像(104a、104b):在透明支持体(102)的各表面上形成至少一层卤化银乳剂层,然后将所述卤化银乳剂层曝光并显影。第一银图像(104a)和第二银图像(104b)各在需要透明的区域含有网状结构。所述网状结构包含线宽为10μm或更小的细线,并形成薄片电阻为50ohm/sq或更小的导电层。
搜索关键词: 导电 及其 制备 方法
【主权项】:
导电膜,其包含透明支持体(102)、设置在透明支持体(102)的一个主表面上的第一导电银图像(104a)和设置在透明支持体(102)的另一主表面上的第二导电银图像(104b),通过以下步骤得到所述第一导电银图像和第二导电银图像(104a、104b):在透明支持体(102)的各表面上形成至少一层卤化银乳剂层,然后将所述卤化银乳剂层曝光并显影,其中第一银图像(104a)和第二银图像(104b)各在需要透明的区域中含有网状结构,所述网状结构包含线宽为10μm或更小的细线,并且所述网状结构形成薄片电阻为50ohm/sq或更小的导电层。
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