[发明专利]一种过压脉冲增强磁控溅射镀膜方法

摘要

本发明一种过压脉冲增强磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：将工件清洗干燥后，放置在磁控溅射离子镀设备的真空腔中；将所述真空腔抽真空，通入氩气，对工件进行离子清洗；对工件进行镀膜：其中，过压脉冲靶电源为：靶材脉冲峰值电压为600V～900V、脉冲宽度为200μs～500μs、且脉冲频率为1KHz；冷却至室温，取出工件，即得。本发明方法解决了现有技术中薄膜厚度沿靶基距方向分布均匀性差的问题，制得的薄膜厚度随靶基距增大的平均递减速率由现有技术的1μm/100mm减小至0.04μm/100mm。

主权项

一种过压脉冲增强磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将工件清洗干燥后，放置在磁控溅射离子镀设备的真空腔中；步骤2、将所述真空腔抽真空到2×10‑5Pa～6×10‑5Pa，然后，通入氩气，并维持氩气的流量为15sccm～20sccm；对靶材施加0.1A～0.4A的直流电流，同时，对工件施加负偏压值为‑450V～‑300V、脉冲频率为150KHz～250KHz、且脉冲宽度为500ns～1500ns的脉冲偏压，以对工件进行离子清洗；步骤3、维持氩气的流量为15sccm～20sccm；关闭靶材上直流电流，同时，将施加在工件上的负偏压值调节至‑80V～‑60V、脉冲频率为50KHz～100KHz、且脉冲宽度为500ns～1500ns的脉冲偏压；同时，开启过压脉冲靶电源：靶材脉冲峰值电压为600V～900V、脉冲宽度为200μs～500μs、且脉冲频率为1KHz；以对工件进行镀膜；镀膜完成后，冷却至室温，取出工件，即得。