[发明专利]一种GaN基量子点的外延生长方法无效
| 申请号： | 201110168823.1 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254800A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王磊;汪莱;郝智彪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王加岭;张庆敏 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基量子点的外延生长方法，在衬底材料上依次外延生长缓冲层及体材料，在所述体材料的表面引入位错和/或原子滑移面，然后在所述位错和/或原子滑移面的露头处外延生长GaN基量子点。本发明所述外延生长方法无需浸润层，对生长条件和生长工艺的要求较低，适应各种基材料，对于量子点的制备及利用都具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 量子 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基量子点的外延生长方法，在衬底材料上依次外延生长缓冲层及体材料，其特征在于，在所述体材料的表面引入位错和/或原子滑移面，然后在所述位错和/或原子滑移面的露头处外延生长GaN基量子点。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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