[发明专利]一种高倍聚光多结太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号: | 201110168522.9 | 申请日: | 2011-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN102244114A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 宋明辉;林桂江;吴志浩;王良均;刘建庆;毕京锋;熊伟平;林志东 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种高倍聚光多结太阳能电池及其制备方法。它是由顶电池、中电池、底电池以及两个隧穿结组成。其中,顶电池和中电池的发射层为渐变掺杂层,顶电池发射层的厚度较传统多结电池的厚数百纳米。本发明涉及的一种高倍聚光多结太阳能电池,其顶部和中部子电池的发射层均使用渐变掺杂方式,具有较高的开路电压和短路电流,同时在高倍聚光条件下,允许顶电池发射层具有比传统多结电池更大的厚度以降低多结电池整体的串联电阻,提高电池的填充因子,最终获得高的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高倍 聚光 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高倍聚光多结太阳能电池,包含:顶电池、中电池、底电池以及两个隧穿结,其特征在于:顶电池和中电池的发射层的掺杂浓度为渐变的,顶电池发射层的厚度比传统多结电池的厚度大一百纳米以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





