[发明专利]一种“工”字型ZnO纳米阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201110168442.3 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102249287A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;陈永;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C01G9/03;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的“工”字型ZnO纳米阵列，由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。“工”字型ZnO纳米阵列在水平管式炉中生长，以锌粉为源材料，以硅、蓝宝石、石英、玻璃、氮化镓或氧化锌为衬底，通过调节温度加热过程和气流通入程序，整个结构由一次反应生长而成。本发明的“工”字型ZnO纳米阵列制备方法简单，是一种开放型的结构，器件制作容易，且可保留纳米阵列之间的空隙，可以用于光电器件和传感器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 字型 zno 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种“工”字型ZnO纳米阵列，其特征在于所述的“工”字型ZnO纳米阵列由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。
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