[发明专利]单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法无效
| 申请号： | 201110166594.X | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102280577A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高滨 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域。该单极阻变器件包括：下电极、上电极、以及下电极和上电极之间的阻变介质层，下电极为掺杂硅层，阻变介质层为电介质材料层，上电极包括形成于阻变介质层之上的界面层、以及界面层之上的导电材料层。本发明的单极阻变器件以及单极阻变存储器单元结构简单，本发明的方法方便易行，可与传统的CMOS工艺兼容，所有的制备过程利用CMOS的前端工艺即可完成，生产成本低，适用于高密度集成存储器和大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 单极 器件 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单极阻变器件，其特征在于，该器件包括：下电极、上电极、以及所述下电极和上电极之间的阻变介质层，所述下电极为掺杂硅层，所述阻变介质层为电介质材料层，所述上电极包括形成于所述阻变介质层之上的界面层、以及所述界面层之上的导电材料层。
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