[发明专利]一种无荧光粉高显色性能白光LED芯片无效
| 申请号： | 201110165917.3 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102244171A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 崔旭高;黄高山;梅永丰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于LED光源技术领域，具体为一种无荧光粉高显色性能白光LED芯片。本发明具有荧光层和发光芯片组合LED结构，由半导体外延技术在同一外延设备中在单晶衬底材料上外延形成；其中，荧光层材料为稀土元素掺杂的三族氮化物，发光芯片为N型氮化物薄膜-量子阱-P型氮化物薄膜组合；荧光层和发光芯片之间以低温生长的氮化物作为缓冲层；本发明利用荧光层对发光芯片光源进行能量下转换，获得波长更长光子，与发光芯片光源发出光子混合，获得白光；本发明制造白光LED过程简单，一次成型，无需荧光粉，发光性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光粉 显色 性能 白光 led 芯片 | ||
【主权项】：
无荧光粉高显色性能白光LED芯片，其特征在于具有荧光层和发光芯片组合LED结构，由半导体外延技术在同一外延设备中在单晶衬底材料上外延形成；其中，荧光层材料为稀土元素掺杂的三族氮化物，发光芯片为N型氮化物薄膜‑量子阱‑P型氮化物薄膜组合；荧光层和发光芯片之间以低温生长的氮化物作为缓冲层；利用发光层光子激发荧光获得长波长光子，此长波长光子为红光，与发光层透射蓝绿光光子混合生成白光。
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