[发明专利]一种MOS器件热载流子效应的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110165082.1 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102253324A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 唐逸;张悦强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件热载流子效应的测试结构，包括至少两组阵列的测试结构单元(1)，每组测试结构单元(1)的栅极焊盘(GG)通过第一二极管(D1)连接有第一焊盘(A1)，漏极焊盘(DD)通过第二二极管(D2)连接有第二焊盘(A2)，源极焊盘(SS)和衬底焊盘(BB)分别连接有第三焊盘(A3)和第四焊盘(A4)。本发明还公开了一种应用该并行测试结构测试热载流子效应的方法，包括以下步骤：S1、进行单个器件阶段的测试，S2、进行应力加载阶段的测试，S3、反复交替步骤S1和步骤S2的测试，比较多次测量的电学性能参数。本发明可以提高MOS器件热载流子的测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 载流子 效应 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件热载流子效应的测试结构，其特征在于：包括至少两组阵列的测试结构单元(1)，所述每组测试结构单元(1)，包括分别与一个MOS器件(T)的栅极端、漏极端、源极端、衬底电连接的栅极焊盘(GG)、漏极焊盘(DD)、源极焊盘(SS)、衬底焊盘(BB)；所述每组测试结构单元(1)的栅极焊盘(GG)通过第一二极管(D1)连接有第一焊盘(A1)，所述每组测试结构单元(1)的漏极焊盘(DD)通过第二二极管(D2)连接有第二焊盘(A2)，所述每组测试结构单元(1)的源极焊盘(SS)和衬底焊盘(BB)分别连接有第三焊盘(A3)和第四焊盘(A4)，所述第一焊盘(A1)、第二焊盘(A2)、第三焊盘(A3)，第四焊盘(A4)可以施加应力电压信号。
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