[发明专利]一种氮化镓基垂直结构LED外延结构及制造方法无效
| 申请号： | 201110165056.9 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102214748A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 云峰 | 申请（专利权）人： | 云峰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710049 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓基垂直结构LED外延结构及制造方法。本发明采用的技术方案为：一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，至少包括以下步骤：1）在外延生长衬底上制备ZnO缓冲层；2）在生长好ZnO缓冲层的衬底上以MOCVD设备生长非本征掺杂的GaN缓冲层；3）继续在MOCVD设备中生长高温N-型掺杂Si的GaN层、周期性多层发光区-量子阱、电子阻挡层、和P-型掺杂Mg的GaN层；4）对P-型GaN层的Mg掺杂进行载流子激。本发明的优点是衬底剥离时不需要复杂的紫外激光剥离工艺和昂贵的紫外激光剥离设备，是无损伤无机械分离的衬底剥离技术，设备要求低，可批量处理外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 垂直 结构 led 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，其特征在于：至少包括以下步骤：1）在外延生长衬底（11）上制备ZnO缓冲层（12）；2）在生长好ZnO缓冲层（12）的衬底上以MOCVD设备生长非本征掺杂的GaN缓冲层（13）；3）继续在MOCVD设备中生长高温N‑型掺杂Si的GaN层（14）、周期性多层发光区‑量子阱（15）、电子阻挡层（16）、和P‑型掺杂Mg的GaN层（17）；4）对P‑型GaN层的Mg掺杂进行载流子激活。
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