[发明专利]太阳电池片的刻蚀方法无效

专利信息
申请号: 201110164942.X 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102254988A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 陈泗实;梁兴芳;许新湖 申请(专利权)人: 阳光大地(福建)新能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 代理人: 方惠春
地址: 362000 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及太阳电池片的生产制造工艺,尤其涉及太阳电池片的刻蚀方法。本发明的太阳电池片的刻蚀方法是采用如下步骤:A,设定激光刻蚀机对太阳电池片背面的激光刻蚀线的范围是:控制离硅片的边缘的距离是200μm-300μm;B,通过激光刻蚀机对太阳电池片的背面进行激光刻蚀。本发明采用如上的技术方案可以实现低成本、低污染,且又保证做出的太阳电池片的转换效率较高。
搜索关键词: 太阳电池 刻蚀 方法
【主权项】:
太阳电池片的刻蚀方法,通过激光刻蚀机对太阳电池片进行激光刻蚀,其特征在于,包括步骤:A,设定激光刻蚀机对太阳电池片背面的激光刻蚀线的范围是:控制离硅片的边缘的距离是200μm ‑300μm;B,通过激光刻蚀机对太阳电池片的背面进行激光刻蚀。
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