[发明专利]一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件无效
| 申请号： | 201110163995.X | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102231390A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件，包括元胞区Ⅰ和包围元胞区的过渡区Ⅱ以及包围过渡区的终端区Ⅲ；其特点在于，所述的元胞区Ⅰ内的第二导电类型柱状半导体区底部设有绝缘介质材料。本发明的有益效果：本发明改进超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件结构，使得电场分布接近理想情况的均匀分布，提高实际超结结构器件的击穿电压，进一步提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件，包括元胞区I和包围元胞区的过渡区II以及包围过渡区的终端区III；元胞区I和过渡区II及终端区III底部和顶部设有金属层I(10)和金属层II(15)，底部金属层I(10)上设有第一导电类型半导体材料衬底(1)，第一导电类型半导体材料衬底(1)上设有第一导电类型半导体材料漂移层(2)，第一导电类型半导体材料漂移层(2)中设有间断不连续的第二导电类型柱状半导体区(3)；在元胞区I中的第二导电类型柱状半导体区(3)上设有第二导电类型半导体区I(4)，且第二导电类型半导体区I(4)位于第一导电类型半导体材料漂移层(2)内，在第二导电类型半导体区I(4)中设有第二导电类型重掺杂半导体区I(8)和第一导电类型重掺杂半导体区I(7)，在第二导电类型重掺杂半导体区I(8)及第一导电类型重掺杂半导体区I(7)以外区域上方设有绝缘介质材料I(6)，绝缘介质材料I(6)内设有多晶硅栅(5)，在第一导电类型重掺杂半导体区I(7)和第二导电类型重掺杂半导体区I(8)上连接金属层II(15)；在过渡区II中的第一导电类型半导体材料漂移层(2)中设有第二导电类型半导体区II(9)，且第二导电类型半导体区II(9)覆盖了过渡区II内全部的第二导电类型柱状半导体区(3)，在过渡区II内的第二导电类型半导体区II(9)中设有第二导电类型重掺杂半导体区II(14)，第二导电类型重掺杂半导体区II(14)位于过渡区II中的与元胞区I相邻的第二导电类型柱状半导体区(3)的上方，在过渡区II的表面设有绝缘介质材料II(13)，在第二导电类型半导体区II(9)内的第二导电类型重掺杂半导体区II(14)表面设有接触孔与金属层II(15)相连；在终端区III中，在第一导电类型半导体材料衬底漂移层(2)的右上角设有第一导电类型重掺杂半导体区II(12)，在终端区III表面设有绝缘介质材料II(13)；其特征在于，所述的元胞区I内的第二导电类型柱状半导体区(3)底部设有绝缘介质材料区域(11)。
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