[发明专利]具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110158453.3 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102315166A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李正一;郑仁宰;梁埈荣;洪基相 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;赵芳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法。该制造方法包括：通过刻蚀基板的表面以形成总线图案并利用总线金属填充这些总线图案，而形成总线；在由这些总线所限定的像素区域的一部分处，形成半导体沟道层；和形成所述半导体沟道层上的源极-漏极、在所述像素区域内从所述漏极延伸的像素电极以及与所述像素电极平行的公共电极。这些总线形成得较厚但是被埋在基板中，使得可以减小线的电阻，并且使得因总线厚度导致的阶差不会影响到设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 总线 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：通过刻蚀基板的表面以形成总线图案并利用总线金属填充所述总线图案，从而形成总线；在由所述总线所限定的像素区域的一部分处，形成半导体沟道层；和形成所述半导体沟道层上的源极‑漏极、在所述像素区域内从所述漏极延伸的像素电极、以及与所述像素电极平行的公共电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
