[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201110158241.5 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102270615A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 菊池正雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/42;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件(4)；作为第1金属块的金属块(7)，该金属块(7)通过选择性地形成于功率半导体元件(4)上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案(100)与功率半导体元件(4)连接；以及覆盖着功率半导体元件(4)与金属块(7)而充填的注塑树脂(9)，金属块(7)其上表面从注塑树脂(9)表面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，其特征在于，具备：功率半导体元件；第1金属块，通过选择性地形成于所述功率半导体元件上表面的第1上表面电极图案与所述功率半导体元件连接；以及注塑树脂，覆盖着所述功率半导体元件与所述第1金属块而充填，所述第1金属块其上表面从所述注塑树脂表面露出。
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