[发明专利]化学气相沉积反应设备无效
| 申请号: | 201110157648.6 | 申请日: | 2011-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN102231416A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
| 发明(设计)人: | 单洪青;李沅民;林朝晖 | 申请(专利权)人: | 泉州市博泰半导体科技有限公司;北京精诚铂阳光电设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C23C16/455 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积反应设备,包括反应室和位于所述反应室内部的工件架,所述工件架上放置晶片,所述反应设备包括至少一根多通道输气管,在所述输气管的每个通道的底部具有至少一个通气孔,反应气体分别进入所述通道,由所述通气孔流出至所述晶片上方的反应空间混合,在所述晶片表面沉积膜层。本发明的化学气相沉积反应设备能够大幅度地提高不同反应气体混合时的均匀性,并大幅度地提高了产能,极大地优化了设备性能。 | ||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 反应 设备 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积反应设备,包括反应室和位于所述反应室内部的工件架,所述工件架上放置晶片,其特征在于:所述反应设备包括至少一根多通道输气管,在所述输气管的每个通道的底部具有至少一个通气孔,反应气体分别进入所述通道,由所述通气孔流出至所述晶片上方的反应空间混合,在所述晶片表面沉积膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市博泰半导体科技有限公司;北京精诚铂阳光电设备有限公司,未经泉州市博泰半导体科技有限公司;北京精诚铂阳光电设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110157648.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐火母线槽
- 下一篇:一种用于太阳能电池硅片生产的石英舟





