[发明专利]于蓝宝石衬底表面制作纳米球的方法无效
| 申请号： | 201110157416.0 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102299055A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 陈达军 | 申请（专利权）人： | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;姜精斌 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种于蓝宝石衬底表面制作纳米球的方法，是取一个蓝宝石衬底并在表面配置一个金属薄层；将蓝宝石衬底与金属薄层的组合加热，使得金属薄层的温度接近自身的熔点；藉表面张力的作用，使金属薄层得以破裂，进而每一个金属裂块收缩形成金属纳米球，且分布于蓝宝石衬底上形成金属掩膜。其次也可以在金属薄层与蓝宝石衬底之间再配置一个二氧化硅薄层。由于金属掩膜的形成是利用加热及自身的表面张力作用，因此制作成本低，此外金属掩膜上具有微小的图形，有助将蓝宝石衬底表面蚀刻成具有纳米尺寸的凹凸图形。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 表面 制作 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种于蓝宝石衬底表面制作纳米球的方法，其特征在于，包含：取一个蓝宝石衬底并在表面配置一个金属薄层；将蓝宝石衬底与金属薄层的组合加热，使得金属薄层的温度接近自身的熔点；藉表面张力的作用，使金属薄层得以破裂，进而每一个金属裂块收缩形成金属纳米球，且分布于蓝宝石衬底上形成金属掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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