[发明专利]一种SiC-TaC涂层/基体协同改性C/C复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110156494.9 申请日: 2011-06-10
公开(公告)号: CN102295474A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 熊翔;陈招科;李国栋;孙威;王雅雷 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 邓建辉
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种SiC-TaC涂层/基体协同改性C/C复合材料及其制备方法。该复合材料分为两部分,渗入到C/C复合材料表面以下的为基体改性部分,厚度为0.1~10mm,且碳化物在C/C复合材料中呈梯度分布,沉积在碳材料表面的为涂层部分,厚度为10~300μm。制备该复合材料的方法是:将密度为0.80g/cm3~1.60g/cm3的C/C坯体切割成圆环状或板状,超声波清洗干燥后,放置于多功能CVD炉中,通过控制沉积参数,使碳化物沉积在C/C坯体表层和表面,利用热解炭使坯体进一步致密化,获得高致密度的涂层/基体协同改性C/C复合材料。本发明的主要优点是碳化物渗入了C/C复合材料表层,提高了基体的热膨胀系数,改善了界面结合状态,碳化物在涂层与基体之间形成连续过渡,涂层/基体之间冶金结合。
搜索关键词: 一种 sic tac 涂层 基体 协同 改性 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种SiC‑TaC涂层/基体协同改性C/C复合材料,其特征在于:SiC‑TaC在该复合材料中的分布分为两部分,渗入到C/C复合材料表层的为基体改性层,沉积在C/C复合材料表面的为涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110156494.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top