[发明专利]一种具有自整流效应的阻变存储器无效
| 申请号： | 201110155291.8 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102214790A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;陈超;曾飞;罗景庭;唐光盛 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器。所述阻变存储器由底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。本发明所提供的阻变存储器的底电极选用的是低电阻的p型硅，与传统CMOS工艺的兼容性非常高，能够在不改变现有工艺条件的情况下开发出高密度的非易失性存储器，具有成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 整流 效应 存储器 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器由底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。
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