[发明专利]一种CuI薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110154539.9 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102296337A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李京波;李庆跃;李凯;孟秀清;池旭明;李树深;夏建白 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶光电科技有限公司;浙江东晶电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 黄飞 |
| 地址： | 321016 浙江省金华市秋滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于电化学领域，具体是一种CuI薄膜的制备方法，包括CuI纳米管，其特征在于：以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂，以CuSO4和KI为反应溶质，以EDTA做络合剂，采用电化学方法在沉积电位为-0.05～-0.6V、沉积时间为30～200分钟制备而成。本发明以FTO衬底作工作电极、高纯度铂片做对电极，饱和氯化银电极做参比电极，连接好电化学系统，以此系统作为反应系统进行CuI高质量薄膜的生长反应。本发明具有通过简单的方法制备出高质量的CuI薄膜、生产成本低，所制备的膜可直接应用于太阳能电池等光电子器件、便于工业化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cui 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuI薄膜的制备方法，包括CuI纳米管，其特征在于：以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂，以CuSO4和KI为反应溶质，以EDTA做络合剂，采用电化学方法在沉积电位为‑0.05～‑0.6V、沉积时间为30～200分钟制备而成。
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