[发明专利]一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法有效
| 申请号： | 201110153487.3 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214744A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘建哲;李京波;李庆跃;李凯;颜晓升;池旭明;李树深;夏建白 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 黄飞 |
| 地址： | 321016 浙江省金华市秋滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于固态照明领域，特别是一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法，具体方法是把均匀分散的氧化硅纳米球溶液滴在经洁净处理蓝宝石衬底上，使用匀胶机把氧化硅纳米球均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面；以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石衬底进行ICP刻蚀处理，刻蚀分二步，先用BCl3气体刻蚀出纳米图形化衬底图形深度，再用BCl3、Cl2、Ar气体刻蚀出纳米图形化衬底图形宽度；刻蚀完成将蓝宝石衬底取出，经腐蚀、清洗干净后，烘干待用。本发明可以有效地降低LED芯片中的位错密度，避免裂纹的产生，提高外延材料的晶体质量和均匀性，增加了LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，进而能提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 led 芯片 外延 生长 纳米 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法，其特征在于：将蓝宝石衬底经洁净处理；制作均匀分散的氧化硅纳米球；把氧化硅纳米球溶液滴在蓝宝石衬底上；使用匀胶机把氧化硅均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面；以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石衬底进行ICP刻蚀，刻蚀分两部进行，先用BCl3气体刻蚀出纳米图形化衬底图形深度，再用BCl3、Cl2、Ar气体刻蚀出纳米图形化衬底图形宽度；把刻蚀完成蓝宝石衬底取出，经腐蚀后清洗干净，烘干待用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江东晶光电科技有限公司，未经浙江东晶光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110153487.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
