[发明专利]非易失性存储元件及包括其的存储装置无效
| 申请号： | 201110153471.2 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102376886A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李承烈;金昌桢;金英培;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李昌范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 包括 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，所述非易失性存储元件包括：第一电极；第二电极；第一缓冲层，设置在第一电极和第二电极之间；第二缓冲层，设置在第二电极和第一缓冲层之间；存储层，设置在第一缓冲层和第二缓冲层之间，存储层具有电阻变化特性。
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