[发明专利]一种新型IBC结构N型硅异质结电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种新型IBC结构N型硅异质结电池，其中N型硅衬底前表面覆有三氧化二铝薄膜，三氧化二铝层薄膜上覆有氮化硅薄膜；所述N型硅衬底的背表面沉积本征非晶硅和P型非晶硅，本征非晶硅和P型非晶硅上设有凹槽，凹槽底部为N型重掺杂区，凹槽内设有电极负极；P型非晶硅背表面设有电池的正极。本发明还公开了上述电池的制备方法。本发明中利用激光掺杂和PECVD沉积非晶硅，使得整个过程没有高温扩散过程，最大限度的保留了硅衬底的少数载流子寿命，降低了高温过程对N型硅衬底的损伤；同时IBC结构的电池使得电池片充分利用太阳光谱，最大限度的提高电池的短路电流密度；没有P型重掺区，使得太阳电池的稳定性提高。

主权项

一种新型IBC 结构N型硅异质结电池，其特征在于:它包括： N型硅衬底（1）、氮化硅薄膜（2）、三氧化二铝薄膜（3）、本征非晶硅（4）、P型非晶硅（5）、N型重掺杂区（6）、电池的正极（7）、电池的负极（8）；所述N型硅衬底（1）前表面覆有三氧化二铝薄膜（3），三氧化二铝层薄膜（3）上覆有氮化硅薄膜（2）；所述N型硅衬底（1）的背表面沉积本征非晶硅（4）和P型非晶硅（5），本征非晶硅（4）和P型非晶硅（5）上设有凹槽，凹槽底部为N型重掺杂区（6），凹槽内设有电极负极（8）；P型非晶硅（5）背表面设有电池的正极（7）。