[发明专利]基于电荷转移的传感器结构制作方法无效
| 申请号： | 201110150579.6 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102214042A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张小华;潘耀南;章晶晶 | 申请（专利权）人： | 南京福莱克斯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210032 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 基于电荷转移的传感器结构制作方法，在基材的两面通过真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空热蒸发镀膜或涂布的方法制作透明导电层；在上述上下透明导电层表面通过真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空热蒸发镀膜、电镀或化学镀方法制作金属强化层；通过选择性腐蚀方法在基材双面分别形成第一透明导电层、第一引线电极组、第二透明导电层、第二引线电极组的图形；在第一引线电极组和第二引线电极组表面采用丝网印刷、圆辊移印或光刻的方法制作保护层；将完成上述工艺的工件放入选择性蚀刻液，将覆盖透明导电层的金属强化层去除。与传统的方法相比，此方法加工工序减少，工艺难度降低，加工效率和良品率大大提高，制造成本也低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电荷 转移 传感器 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
基于电荷转移的传感器结构制作方法，其特征在于步骤为：在基材的两面通过真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空热蒸发镀膜或涂布的方法制作透明导电层；在上述上下透明导电层表面通过真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空热蒸发镀膜、电镀或化学镀方法制作金属强化层；通过选择性腐蚀方法在基材双面分别形成第一透明导电层、第一引线电极组、第二透明导电层、第二引线电极组的图形；在第一引线电极组和第二引线电极组表面采用丝网印刷、圆辊移印或光刻的方法制作保护层；将完成上述工艺的工件放入选择性蚀刻液，将覆盖透明导电层的金属强化层去除。
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