[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110146824.6 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102810561A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦;朱普磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。在根据本发明的半导体器件中，使用铝合金代替铝来作为最终的金属栅极。因此，使对高k-金属栅极的CMP的最终接触界面由纯Al变为铝合金，从而大大地减少了金属栅极中的缺陷，例如，腐蚀、凹坑和损伤等，并且提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有高介电常数的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的第一阻挡层；以及在所述第一阻挡层上的由铝合金层构成的铝合金栅极。
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