[发明专利]可同时驱入镍和调整阈值电压的多晶硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110145939.3 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810569A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华;史亮亮;张峰 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼后在氮气中退火来完全晶化，去除低温氧化物层来限定有源岛。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 驱入镍 调整 阈值 电压 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼后在氮气中退火来完全晶化，去除低温氧化物层来限定有源岛。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110145939.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种卡车铝轮的低压铸造模具
- 下一篇：具有高选择性的枯烯生产方法
- 同类专利
- 专利分类
