[发明专利]多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201110145367.9 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102320826A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郝华;熊博;肖嫚;刘韩星;曹明贺;尧中华 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法。多壳层结构X8R电容器介电陶瓷，其特征在于它由BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体和0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成，BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体与0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1，4≤x≤8。该方法制备的电容器介电陶瓷具有宽工作温度、高稳定性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 多壳层 结构 x8r 电容器 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
多壳层结构X8R电容器介电陶瓷，其特征在于它由BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体和0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成，BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体与0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1，4≤x≤8。
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