[发明专利]非易失性存储器件及制造方法与包括其的存储模块和系统有效
| 申请号： | 201110145035.0 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102263065A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李宰求;朴泳雨;俞炳瓘;李东植;朴尚容 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开非易失性存储器件及制造方法与包括其的存储模块和系统。一种非易失性存储器件包括：衬底；从衬底突出的沟道层；围绕沟道层的栅极导电层；被布置在沟道层和栅极导电层之间的栅极绝缘层；以及第一绝缘层，其与沟道层隔开，并且被布置在栅极导电层的顶部和底部上。栅极绝缘层在栅极导电层和第一绝缘层之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 包括 存储 模块 系统 | ||
【主权项】：
一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：形成沟道孔，所述沟道孔穿过多个牺牲绝缘层和多个第一绝缘层的堆叠结构，所述堆叠结构被布置在衬底上；在所述沟道孔的侧壁上形成牺牲间隔物；在所述牺牲间隔物上形成半导体沟道层；蚀刻所述堆叠结构中的所述多个牺牲绝缘层和所述牺牲间隔物，从而暴露所述半导体沟道层的侧壁；在所述半导体沟道层的暴露的侧壁上形成栅极导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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