[发明专利]激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法无效
| 申请号： | 201110143396.1 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102372500A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 方庆清;张瀚铭 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;方庆清;张瀚铭 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230039*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体薄膜材料制备方法。所制材料包括衬底，ZnO基层，扩散层。其扩散层为沉积Cu高温扩散掺杂进入ZnO基层形成的扩散层。薄膜采用脉冲激光沉积方法制备，衬底为(100)硅单晶，激光脉冲腔内真空度5×10-4Pa，沉积温度为450℃，激光频率4Hz，激光能量190kV，ZnO基薄膜溅射时间40分钟，在上述基础上加镀Cu层，沉积时间为2分钟，保温30分钟，所制备Cu扩散掺杂的ZnO基薄膜在腔体内自然冷却至室温而形成。本发明在制备掺杂ZnO基半导体薄膜时优于以往烧结靶材溅射镀膜工艺，在制备不同含量ZnO基半导体薄膜时较为方便。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 脉冲 沉积 法制 cu 扩散 掺杂 zno 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种脉冲激光沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法，其特征是：制备的扩散层为沉积Cu高温扩散掺杂进入ZnO基层形成的扩散层，所制材料包括衬底，ZnO基层，扩散层。
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