[发明专利]使用硅基底的氮化物基发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110140334.5 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102651433A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈周;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社;朴健 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用硅基底的氮化物基发光器件及其制造方法。所述氮化物基发光器件包括硅(Si)基底、形成在所述硅基底上的用于氮化物生长的籽晶层、以及形成在所述籽晶层上并堆叠有多层氮化物层的发光结构。所述用于氮化物生长的籽晶层包括GaN粉末，从而使由氮化物层和硅基底之间的晶格常数之差所导致的位错的发生最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基底 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括形成在基底上的氮化物基发光结构的氮化物基发光器件，其特征在于，包括：硅基底；形成在所述硅基底上的用于氮化物生长的籽晶层，所述用于氮化物生长的籽晶层包括GaN粉末；以及形成在所述籽晶层上并堆叠有多层氮化物层的发光结构。
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