[发明专利]一种周期极化反转铌酸锂光波导无效
| 申请号： | 201110139041.5 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102169207A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 孙军强;周钰杰;冯力群 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/355 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种周期极化反转铌酸锂光波导，包括衬底、位于衬底上的波导层、上光子晶体和下光子晶体，下光子晶体生长于衬底与波导层之间，上光子晶体生长于波导层上，所述上光子晶体和下光子晶体能够使周期极化反转铌酸锂光波导的基频光波长和倍频光波长均处在光子禁带内。所述的上光子晶体和下光子晶体为一维、二维或三维光子晶体。该周期极化反转铌酸锂光波导在波导层的上包层和下包层均制备了光子晶体，将周期极化反转铌酸锂光波导与光子晶体结合，使得光波导损耗低、转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 周期 极化 反转 铌酸锂光 波导 | ||
【主权项】：
一种周期极化反转铌酸锂光波导，包括衬底(2)和位于衬底上的波导层(1)，其特征在于，它还包括上光子晶体(3)和下光子晶体(4)，下光子晶体(4)生长于衬底(2)与波导层(1)之间，上光子晶体(3)生长于波导层(1)上，所述上光子晶体(3)和下光子晶体(4)能够使所述周期极化反转铌酸锂光波导的基频光波长和倍频光波长均处在光子禁带内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110139041.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于开启瓶塞的开瓶器
- 下一篇：充填支护隔板支架
