[发明专利]宽带低电场增强反射金属介电光栅有效
| 申请号： | 201110138942.2 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102193126A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周常河;胡安铎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层，在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。本发明在TE偏振光以76～78度角入射时，可以实现80纳米波长带宽内(1010～1090纳米)光栅内部最大电场电场强度增强低于2，至少20纳米波长带宽内(1040～1060纳米)-1级衍射效率高于90％。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 电场 增强 反射 金属 光栅 | ||
【主权项】：
一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其特征在于其结构为熔融石英基底(4)上依次分别镀上铬膜层(3)、金膜层(2)和熔融石英层(1)，在熔融石英层(1)刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。
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