[发明专利]一种形成MIM电容器结构的方法及MIM电容器

摘要

本发明一种形成MIM电容器结构的方法及MIM电容器，其第一金属层间绝缘层上覆盖第二金属层间绝缘层和第三金属层间绝缘层，其中在第一金属层间绝缘层的顶部设置的凹槽中沉积有金属层；在第二金属层间绝缘层中设有多个通孔，在通孔中依次沉积有下电极金属层、绝缘层和上电极金属，所述金属层与部分通孔中所沉积的下电极金属层电性接触，以及所有通孔中填充的上电极金属均相互电性连接；在第三金属层间绝缘层中设置的第一通孔中填充的金属将所述上电极金属电性导出至第三金属层间绝缘层外，作为一个电容端子，在第二金属层间绝缘层和第二金属层间绝缘层中设置的第二通孔中填充的金属将所述金属层电性导出至第三金属层间绝缘层外，作为另一个电容端子。

主权项

一种形成MIM电容器结构的方法，其特征在于：在第一金属层间绝缘层的顶部设置的凹槽中沉积一金属层；在第一金属层间绝缘层上覆盖第二金属层间绝缘层，并在第二金属层间绝缘层上进行刻蚀形成多个通孔；所述金属层暴露在部分通孔的底部，在所述多个通孔上方第二金属层间绝缘层中设有一空腔，空腔和各通孔之间相互连通；沉积下电极金属层至第二金属层间绝缘层上，通孔底部及侧壁同时沉积下电极金属层，金属层与部分通孔中所沉积的下电极金属层电性接触；在下电极金属层上覆盖一绝缘层，并在底部及内壁分别附着有下电极金属层、绝缘层的通孔中沉积上电极金属层，同时部分上电极金属层沉积在第二金属层间绝缘层上，所有通孔中填充的上电极金属均相互电性连接；对所述上电极金属层、绝缘层、下电极金属层进行平坦化，露出第二金属层间绝缘层后停止平坦化；在平坦化后所形成的上表面上覆盖第三金属层间绝缘层，在第三金属层间绝缘层上刻蚀第一通孔，上电极金属层暴露在第一通孔中，在第二金属层间绝缘层和第三金属层间绝缘层上刻蚀第二通孔，第一金属层间绝缘层上的金属层暴露在该通孔中；在第一通孔中填充的金属将所述上电极金属电性导出至第三金属层间绝缘层之外，作为一个电容端子；在第二通孔中填充的金属将所述金属层电性导出至第三金属层间绝缘层之外，作为另一个电容端子。