[发明专利]炮筒结构的立体薄膜场发射平板显示器阴极的制作方法有效
申请号: | 201110136864.2 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102243968A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 刘红忠;丁玉成;陈邦道;卢秉恒 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明属于平板显示器件技术领域,具体涉及一种炮筒结构的立体薄膜场发射平板显示器阴极的制作方法,本发明制备的炮筒结构电子发射源包括内层低功函数金属电极,中间层氧化物绝缘层、外层金属电极。具有器件有效发射面积大,电子聚焦能力强,驱动电压低等优点,特别适于大屏幕高清晰度电视,阵列式电子加工设备及检测装置。 | ||
搜索关键词: | 炮筒 结构 立体 薄膜 发射 平板 显示器 阴极 制作方法 | ||
【主权项】:
炮筒结构的立体薄膜场发射平板显示器阴极的制作方法,其特征在于:1)在SiO2基底上通过光刻匀胶工艺涂覆光刻胶;2)采用掩膜板光刻,显影在涂覆有光刻胶的SiO2基底上得到光刻胶图形阵列;3)将步骤2)的SiO2基底通过深干法刻蚀得到SiO2柱状阵列;4)通过溅射沉积或热蒸镀工艺在步骤3)的SiO2基底上制备内层金属电极,中间层氧化物绝缘层、外层金属电极;5)采用有机溶剂丙酮或酒精将SiO2柱顶部的光刻胶溶解并将其上的三层薄膜剥离,露出柱状SiO2顶部;6)再次采用与步骤2)相同的深干法刻蚀将SiO2柱状阵列刻蚀掉,从而形成具有三层薄膜结构的炮筒状立体薄膜场发射电子源阵列;7)采用丝网印刷法印制纵横总线电极,并在纵横总线电极的交叉点上用丝网印刷法印制绝缘层隔离。
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