[发明专利]基于多孔介电材料薄膜的弹道场发射显示器件阴极的制备方法有效
| 申请号： | 201110136861.9 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102243967A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红忠;丁玉成;陈邦道;王兰兰;卢秉恒 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 基于多孔介电材料薄膜的弹道场发射显示器件阴极的制备方法，其场发射阴极由上发射电极、中间多孔介电材料薄膜和下发射电极组成。该多孔介电材料薄膜可以采用化学合成或是物理方法制备。本发明中的器件结构简单，驱动电压低，电子发射率超过5％；同时，针对该期间的制造具备制备工艺简单，材料无需特殊处理，发射阴极不需特殊激活处理，以及通过直接施加驱动电压就能产生电子发射的优点；采用该工艺的制造成本大大低于已有技术，且适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 材料 薄膜 弹道 发射 显示 器件 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于多孔介电材料薄膜的弹道场发射显示器件阴极的制备方法，其特征在于：1)首先在Si基片上通过深干法刻蚀制备直径为10～200nm的密布硅纳米草阵列；2)然后以硅纳米草阵列为模板通过翻模技术得到直径为10～200nm的密布纳米孔阵列的介电材料薄膜；3)在密布有纳米孔阵列的介电材料薄膜的正反面各沉积厚度为几十纳米和几百纳米的金属电极；4)采用丝网印刷法在介电材料薄膜的正反面的金属电极上印制行列电极，并在行列电极的交叉点上用丝网印刷法印制绝缘层隔离。
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