[发明专利]一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201110136009.1 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102800739A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周利荣;刘祯;马贤芳;裴骏;张忠卫;张玮 | 申请（专利权）人： | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 201112 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，该方法包括以下步骤：对P型单晶硅片表面进行清洗制绒；然后对其一面进行离子注入磷元素形成PN结；进行退火并生长氧化层；在N型表面继续沉积一层钝化和减反膜；对主栅和副栅所处位置进行清洗，采用离子注入的方法进行重掺杂并快速退火；清洗表面，去除保护膜；然后丝网印刷背面电极电场并烘干、采用丝网印刷设备或电镀方法制备正电极；最后进行烧结，即得产品。与现有技术相比，本发明具有可控性好，反应温度低，结面比较平坦、工艺灵活、均匀性和重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 单晶硅 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)对P型单晶硅片表面进行清洗制绒；(2)然后对其一面进行离子注入磷元素形成PN结；(3)进行退火并生长氧化层；(4)在N型表面继续沉积一层钝化和减反膜；(5)对主栅和副栅所处位置进行清洗，采用离子注入的方法进行重掺杂并快速退火；(6)清洗表面，去除保护膜；(7)然后丝网印刷背面电极电场并烘干、采用丝网印刷设备或电镀方法制备正电极；(8)最后进行烧结，即得产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海神舟新能源发展有限公司，未经上海神舟新能源发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110136009.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
