[发明专利]具有偏移结构的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201110134007.9 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102280489A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 金起弘;金正晥;张龙在;金正贤 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了具有偏移结构的薄膜晶体管(TFT)。所述TFT维持足够低的“断”电流和足够高的“通”电流。所述TFT包括有源区。所述有源区包括：栅电极；与所述栅电极重叠的有源层；位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及包括电连接到所述有源区的源/漏电极的源/漏电极层。所述源/漏电极中的某些与所述栅电极部分重叠。所述源/漏电极中的其它源/漏电极偏移于所述栅电极。所述源/漏电极和所述栅电极被对称布置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏移 结构 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：被分成第一有源区和第二有源区的有源区，所述有源区包括：栅电极；有源层，包括与所述第一有源区对应的第一有源层和与所述第二有源区对应的第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层与所述栅电极重叠；栅绝缘层，位于所述栅电极与所述有源层之间；以及源/漏电极层，包括电连接到所述第一有源层的第一源/漏电极和第二源/漏电极以及电连接到所述第二有源层的第三源/漏电极和第四源/漏电极，其中：从所述第一至第四源/漏电极中选出的两个源/漏电极与所述栅电极部分重叠，所述第一至第四源/漏电极中的其它两个源/漏电极偏移于所述栅电极，并且所述第一至第四源/漏电极和所述栅电极被对称布置。
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