[发明专利]GaN基薄膜芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201110132402.3 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102790137A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 闫占彪;赵汉民;朱浩;周印华;熊传兵;陈栋 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司;易美芯光(北京)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。 | ||
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【主权项】：
一种GaN基薄膜芯片的制备方法，包括：a.在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；b.对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；c.在半导体多层结构上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；d.将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并与第二临时基板固化；e.将第一临时基板和第一胶去掉；f.采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；g.去掉第二临时基板和第二胶。
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