[发明专利]非易失性存储元件和包括该非易失性存储元件的存储装置无效
| 申请号： | 201110130691.3 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102386325A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李昌范;金昌桢;金英培;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李承烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 包括 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，所述非易失性存储元件包括：第一电极；第二电极，与第一电极分隔开；存储层，设置在第一电极和第二电极之间，包括供氧层和氧交换层，并且因供氧层和氧交换层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性；缓冲层，设置在存储层和第一电极之间。
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