[发明专利]一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置无效
| 申请号： | 201110130060.1 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789962A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;刘明;龙世兵;谢常青;胡媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。利用本发明，可精确地将反应气体直接输送到样品台附近，减少反应气体对腔体的粘污，并使气体在被刻蚀物体表面均匀分布，使刻蚀具有良好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 刻蚀 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置，其特征在于，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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